STD7ANM60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD7ANM60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD7ANM60N datasheet

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STD7ANM60N

STB7ANM60N, STD7ANM60N Automotive-grade N-channel 600 V, 5 A, 0.84 typ., MDmesh II Power MOSFETs in D2PAK and DPAK packages Datasheet - production data Features Order codes VDS @ Tjmax RDS(on) max. ID TAB STB7ANM60N 650 V 0.9 5 A TAB STD7ANM60N 2 Designed for automotive applications and 3 3 1 1 AEC-Q101 qualified 2 DPAK D PAK 100% avalanche tested

Otros transistores... STD6NK50ZT4, STD6NM60N, STD6NM60N-1, STD70N02L, STD70N02L-1, STD70N03L, STD70N03L-1, STD70NH02LT4, IRFP250, STD7N60M2, STD7N65M2, STD7N80K5, STD7NK30Z, STD7NK40Z-1, STD7NK40ZT4, STD7NM50N, STD7NM50N-1