STD7ANM60N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STD7ANM60N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 24.6 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD7ANM60N
STD7ANM60N Datasheet (PDF)
stb7anm60n std7anm60n.pdf

STB7ANM60N, STD7ANM60NAutomotive-grade N-channel 600 V, 5 A, 0.84 typ., MDmesh II Power MOSFETs in D2PAK and DPAK packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ Tjmax RDS(on) max. IDTABSTB7ANM60N650 V 0.9 5 A TAB STD7ANM60N2 Designed for automotive applications and 3311AEC-Q101 qualified2DPAKD PAK 100% avalanche tested
Другие MOSFET... STD6NK50ZT4 , STD6NM60N , STD6NM60N-1 , STD70N02L , STD70N02L-1 , STD70N03L , STD70N03L-1 , STD70NH02LT4 , STF13NM60N , STD7N60M2 , STD7N65M2 , STD7N80K5 , STD7NK30Z , STD7NK40Z-1 , STD7NK40ZT4 , STD7NM50N , STD7NM50N-1 .
History: QM6208S | NCE65N230D | 2SK829 | MTP20N20E
History: QM6208S | NCE65N230D | 2SK829 | MTP20N20E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645