Справочник MOSFET. STD7ANM60N

 

STD7ANM60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD7ANM60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD7ANM60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD7ANM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1143K  st
 stb7anm60n std7anm60n.pdf pdf_icon

STD7ANM60N

STB7ANM60N, STD7ANM60NAutomotive-grade N-channel 600 V, 5 A, 0.84 typ., MDmesh II Power MOSFETs in D2PAK and DPAK packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ Tjmax RDS(on) max. IDTABSTB7ANM60N650 V 0.9 5 A TAB STD7ANM60N2 Designed for automotive applications and 3311AEC-Q101 qualified2DPAKD PAK 100% avalanche tested

Другие MOSFET... STD6NK50ZT4 , STD6NM60N , STD6NM60N-1 , STD70N02L , STD70N02L-1 , STD70N03L , STD70N03L-1 , STD70NH02LT4 , STF13NM60N , STD7N60M2 , STD7N65M2 , STD7N80K5 , STD7NK30Z , STD7NK40Z-1 , STD7NK40ZT4 , STD7NM50N , STD7NM50N-1 .

History: BSO300N03S | 2P829J

 

 
Back to Top

 


 
.