STD8N80K5 Todos los transistores

 

STD8N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD8N80K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD8N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1302K  st
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STD8N80K5

STD8N80K5N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max. ID PTOTSTD8N80K5 800 V 0.95 6 A 110 WTAB Worldwide best FOM (figure of merit)3 Ultra low gate charge1 100% avalanche testedDPAK Zener protectedApplications Switching applicationsF

 9.1. Size:341K  1
std8n06-1 std8n06t4.pdf pdf_icon

STD8N80K5

STD8N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD8N06 60 V

 9.2. Size:297K  1
std8n10-1 std8n10t4.pdf pdf_icon

STD8N80K5

 9.3. Size:590K  1
std8n10l std8n10l-1 std8n10lt4.pdf pdf_icon

STD8N80K5

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History: AP50T10GH-HF | HGA098N10A | PMN20ENA

 

 
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