Справочник MOSFET. STD8N80K5

 

STD8N80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD8N80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD8N80K5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD8N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1302K  st
std8n80k5.pdfpdf_icon

STD8N80K5

STD8N80K5N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max. ID PTOTSTD8N80K5 800 V 0.95 6 A 110 WTAB Worldwide best FOM (figure of merit)3 Ultra low gate charge1 100% avalanche testedDPAK Zener protectedApplications Switching applicationsF

 9.1. Size:341K  1
std8n06-1 std8n06t4.pdfpdf_icon

STD8N80K5

STD8N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD8N06 60 V

 9.2. Size:297K  1
std8n10-1 std8n10t4.pdfpdf_icon

STD8N80K5

 9.3. Size:590K  1
std8n10l std8n10l-1 std8n10lt4.pdfpdf_icon

STD8N80K5

Другие MOSFET... STD7NM50N , STD7NM50N-1 , STD7NM64N , STD7NS20-1 , STD7NS20T4 , STD80N10F7 , STD80N4F6 , STD80N6F6 , K2611 , STD8NF25 , STD8NM60N-1 , STD90N02L , STD90N02L-1 , STD90NH02LT4 , STD95N04 , STD95NH02LT4 , STD96N3LLH6 .

History: STF32N65M5 | IXTH90P10P | 2SK1206

 

 
Back to Top

 


 
.