STD90NH02LT4 Todos los transistores

 

STD90NH02LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD90NH02LT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD90NH02LT4 Datasheet (PDF)

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STD90NH02LT4

STD90NH02LSTD90NH02L-1N-channel 24V - 0.0052 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD90NH02L-1 24V

 4.1. Size:516K  st
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STD90NH02LT4

STD90NH02LSTD90NH02L-1N-channel 24V - 0.0052 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD90NH02L-1 24V

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 std90n4f3 sti90n4f3 stp90n4f3 stu90n4f3.pdf pdf_icon

STD90NH02LT4

STD90N4F3, STI90N4F3STP90N4F3, STU90N4F3N-channel 40 V, 5.0 m, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) 3Type VDSS ID Pw3max 121STD90N4F3 40 V

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STD90NH02LT4

STD90N03LSTD90N03L-1N-channel 30V - 0.005 - 80A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD90N03L 30V 0.0057 80A (1)STD90N03L-1 30V 0.0057 80A (1)332 11. Pulse width limited by safe operating area1 RDS(on)*Qg industrys benchmark Conduction losses reducedIPAKDPAK Switching losses reduced Low threshold

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History: IPU80R2K4P7

 

 
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