STD90NH02LT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD90NH02LT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD90NH02LT4 datasheet

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STD90NH02LT4

STD90NH02L STD90NH02L-1 N-channel 24V - 0.0052 - 60A - DPAK/IPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD90NH02L-1 24V

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STD90NH02LT4

STD90NH02L STD90NH02L-1 N-channel 24V - 0.0052 - 60A - DPAK/IPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD90NH02L-1 24V

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STD90NH02LT4

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STD90NH02LT4

STD90N03L STD90N03L-1 N-channel 30V - 0.005 - 80A - DPAK/IPAK STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD90N03L 30V 0.0057 80A (1) STD90N03L-1 30V 0.0057 80A (1) 3 3 2 1 1. Pulse width limited by safe operating area 1 RDS(on)*Qg industry s benchmark Conduction losses reduced IPAK DPAK Switching losses reduced Low threshold

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