STD90NH02LT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD90NH02LT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD90NH02LT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD90NH02LT4 даташит

 ..1. Size:511K  st
 std90nh02lt4.pdf pdf_icon

STD90NH02LT4

STD90NH02L STD90NH02L-1 N-channel 24V - 0.0052 - 60A - DPAK/IPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD90NH02L-1 24V

 4.1. Size:516K  st
 std90nh02l.pdf pdf_icon

STD90NH02LT4

STD90NH02L STD90NH02L-1 N-channel 24V - 0.0052 - 60A - DPAK/IPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD90NH02L-1 24V

 8.1. Size:802K  st
 std90n4f3 sti90n4f3 stp90n4f3 stu90n4f3.pdf pdf_icon

STD90NH02LT4

 8.2. Size:317K  st
 std90n03l std90n03l-1.pdf pdf_icon

STD90NH02LT4

STD90N03L STD90N03L-1 N-channel 30V - 0.005 - 80A - DPAK/IPAK STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD90N03L 30V 0.0057 80A (1) STD90N03L-1 30V 0.0057 80A (1) 3 3 2 1 1. Pulse width limited by safe operating area 1 RDS(on)*Qg industry s benchmark Conduction losses reduced IPAK DPAK Switching losses reduced Low threshold

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STD80N10F7, STD80N4F6, STD80N6F6, STD8N80K5, STD8NF25, STD8NM60N-1, STD90N02L, STD90N02L-1, STP65NF06, STD95N04, STD95NH02LT4, STD96N3LLH6, STD9HN65M2, STD9N40M2, STD9N60M2, STD9N65M2, STD9NM40N