STD95NH02LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD95NH02LT4
Código: D95NH02L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 990 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
- Selección de transistores por parámetros
STD95NH02LT4 Datasheet (PDF)
std95nh02lt4.pdf

STD95NH02L-1STD95NH02LN-channel 24V - 0.0039 - 80A - DPAK - IPAKUltra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD95NH02L 24V
std95nh02l std95nh02l-1.pdf

STD95NH02L-1STD95NH02LN-channel 24V - 0.0039 - 80A - DPAK - IPAKUltra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD95NH02L 24V
std95nh02l.pdf

STD95NH02Lwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0035 at VGS = 10 V 10030 95nC0.0045 at VGS = 4.5 V 97APPLICATIONSDTO-251 OR-ing Server DC/DCGSG D STop ViewN-Channel MOSFETA
std95n4f3 stp95n4f3.pdf

STD95N4F3STP95N4F3N-channel 40 V, 5.0 m, 80 A, DPAK, TO-220STripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTD95N4F3 40 V
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History: SSW120R080C | STP8NS25FP | AP4407GS-HF | KP746B1 | TMPF11N50SG | IPW65R280E6
History: SSW120R080C | STP8NS25FP | AP4407GS-HF | KP746B1 | TMPF11N50SG | IPW65R280E6



Liste
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