STD95NH02LT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD95NH02LT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 990 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD95NH02LT4 datasheet

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STD95NH02LT4

STD95NH02L-1 STD95NH02L N-channel 24V - 0.0039 - 80A - DPAK - IPAK Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STD95NH02L 24V

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STD95NH02LT4

STD95NH02L-1 STD95NH02L N-channel 24V - 0.0039 - 80A - DPAK - IPAK Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STD95NH02L 24V

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STD95NH02LT4

STD95NH02L www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.0035 at VGS = 10 V 100 30 95nC 0.0045 at VGS = 4.5 V 97 APPLICATIONS D TO-251 OR-ing Server DC/DC G S G D S Top View N-Channel MOSFET A

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std95n4f3 stp95n4f3.pdf pdf_icon

STD95NH02LT4

STD95N4F3 STP95N4F3 N-channel 40 V, 5.0 m , 80 A, DPAK, TO-220 STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max STD95N4F3 40 V

Otros transistores... STD80N6F6, STD8N80K5, STD8NF25, STD8NM60N-1, STD90N02L, STD90N02L-1, STD90NH02LT4, STD95N04, 7N60, STD96N3LLH6, STD9HN65M2, STD9N40M2, STD9N60M2, STD9N65M2, STD9NM40N, STD9NM50N-1, STE139N65M5