STD95NH02LT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD95NH02LT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 990 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD95NH02LT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD95NH02LT4 даташит

 ..1. Size:344K  st
 std95nh02lt4.pdf pdf_icon

STD95NH02LT4

STD95NH02L-1 STD95NH02L N-channel 24V - 0.0039 - 80A - DPAK - IPAK Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STD95NH02L 24V

 4.1. Size:341K  st
 std95nh02l std95nh02l-1.pdf pdf_icon

STD95NH02LT4

STD95NH02L-1 STD95NH02L N-channel 24V - 0.0039 - 80A - DPAK - IPAK Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STD95NH02L 24V

 4.2. Size:1350K  cn vbsemi
 std95nh02l.pdf pdf_icon

STD95NH02LT4

STD95NH02L www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.0035 at VGS = 10 V 100 30 95nC 0.0045 at VGS = 4.5 V 97 APPLICATIONS D TO-251 OR-ing Server DC/DC G S G D S Top View N-Channel MOSFET A

 8.1. Size:760K  st
 std95n4f3 stp95n4f3.pdf pdf_icon

STD95NH02LT4

STD95N4F3 STP95N4F3 N-channel 40 V, 5.0 m , 80 A, DPAK, TO-220 STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max STD95N4F3 40 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STD80N6F6, STD8N80K5, STD8NF25, STD8NM60N-1, STD90N02L, STD90N02L-1, STD90NH02LT4, STD95N04, 7N60, STD96N3LLH6, STD9HN65M2, STD9N40M2, STD9N60M2, STD9N65M2, STD9NM40N, STD9NM50N-1, STE139N65M5