STD96N3LLH6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD96N3LLH6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD96N3LLH6 datasheet

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STD96N3LLH6

STD96N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0037 , 80 A, DPAK STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD96N3LLH6 30 V 0.0042 80 A RDS(on) * Qg industry benchmark 3 Extremely low on-resistance RDS(on) 1 High avalanche ruggedness Low gate drive power losses DPAK Application Switching applications Automotive Figure 1. Internal sc

Otros transistores... STD8N80K5, STD8NF25, STD8NM60N-1, STD90N02L, STD90N02L-1, STD90NH02LT4, STD95N04, STD95NH02LT4, IRFZ48N, STD9HN65M2, STD9N40M2, STD9N60M2, STD9N65M2, STD9NM40N, STD9NM50N-1, STE139N65M5, STE145N65M5