STD96N3LLH6 Todos los transistores

 

STD96N3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD96N3LLH6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD96N3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:943K  st
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STD96N3LLH6

STD96N3LLH6N-channel 30 V, 0.0037 , 80 A, DPAKSTripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD96N3LLH6 30 V 0.0042 80 A RDS(on) * Qg industry benchmark3 Extremely low on-resistance RDS(on)1 High avalanche ruggedness Low gate drive power lossesDPAKApplication Switching applications AutomotiveFigure 1. Internal sc

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History: NP82N055NHE | 2SK2596 | TT8K11 | BSO200P03S

 

 
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