STD96N3LLH6 - аналоги и даташиты транзистора

 

STD96N3LLH6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STD96N3LLH6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 91 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD96N3LLH6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD96N3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:943K  st
 std96n3llh6.pdf pdf_icon

STD96N3LLH6

STD96N3LLH6N-channel 30 V, 0.0037 , 80 A, DPAKSTripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD96N3LLH6 30 V 0.0042 80 A RDS(on) * Qg industry benchmark3 Extremely low on-resistance RDS(on)1 High avalanche ruggedness Low gate drive power lossesDPAKApplication Switching applications AutomotiveFigure 1. Internal sc

Другие MOSFET... STD8N80K5 , STD8NF25 , STD8NM60N-1 , STD90N02L , STD90N02L-1 , STD90NH02LT4 , STD95N04 , STD95NH02LT4 , RU7088R , STD9HN65M2 , STD9N40M2 , STD9N60M2 , STD9N65M2 , STD9NM40N , STD9NM50N-1 , STE139N65M5 , STE145N65M5 .

History: SSD30N03-40D | NCE65TF099T | STD9HN65M2 | TSM2N7000KCT

 

 
Back to Top

 


 
.