STD96N3LLH6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STD96N3LLH6
Маркировка: 96N3LLH6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 91 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD96N3LLH6
STD96N3LLH6 Datasheet (PDF)
std96n3llh6.pdf

STD96N3LLH6N-channel 30 V, 0.0037 , 80 A, DPAKSTripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD96N3LLH6 30 V 0.0042 80 A RDS(on) * Qg industry benchmark3 Extremely low on-resistance RDS(on)1 High avalanche ruggedness Low gate drive power lossesDPAKApplication Switching applications AutomotiveFigure 1. Internal sc
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FBM85N80B | FBM85N80P | FBM80N70B | FBM80N70P | N6005D | N6005B | N6005 | IN6005 | ID120N10ZR | I80N06 | I740 | I640 | I630 | I50N06 | I25N10 | I20N50
Popular searches
2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026