STD96N3LLH6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD96N3LLH6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 91 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD96N3LLH6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD96N3LLH6 даташит

 ..1. Size:943K  st
 std96n3llh6.pdf pdf_icon

STD96N3LLH6

STD96N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0037 , 80 A, DPAK STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD96N3LLH6 30 V 0.0042 80 A RDS(on) * Qg industry benchmark 3 Extremely low on-resistance RDS(on) 1 High avalanche ruggedness Low gate drive power losses DPAK Application Switching applications Automotive Figure 1. Internal sc

Другие IGBT... STD8N80K5, STD8NF25, STD8NM60N-1, STD90N02L, STD90N02L-1, STD90NH02LT4, STD95N04, STD95NH02LT4, IRFZ48N, STD9HN65M2, STD9N40M2, STD9N60M2, STD9N65M2, STD9NM40N, STD9NM50N-1, STE139N65M5, STE145N65M5