STD9HN65M2 Todos los transistores

 

STD9HN65M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD9HN65M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.82 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD9HN65M2 Datasheet (PDF)

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STD9HN65M2

STD9HN65M2 N-channel 600 V, 0.71 typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTD9HN65M2 600 V 0.82 5.5 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested Zener-protected Figure 1: Internal schematic diagram Applications D(

Otros transistores... STD8NF25 , STD8NM60N-1 , STD90N02L , STD90N02L-1 , STD90NH02LT4 , STD95N04 , STD95NH02LT4 , STD96N3LLH6 , STP65NF06 , STD9N40M2 , STD9N60M2 , STD9N65M2 , STD9NM40N , STD9NM50N-1 , STE139N65M5 , STE145N65M5 , STE88N65M5 .

History: 2SK1156 | STB12N120K5 | HGN195N15S | NCE60NF730D | SSM3K310T | RJK1008DPN | SLD80R380SJ

 

 
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