STD9HN65M2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD9HN65M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.82 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD9HN65M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD9HN65M2 даташит

 ..1. Size:492K  st
 std9hn65m2.pdf pdf_icon

STD9HN65M2

STD9HN65M2 N-channel 600 V, 0.71 typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STD9HN65M2 600 V 0.82 5.5 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested Zener-protected Figure 1 Internal schematic diagram Applications D(

Другие IGBT... STD8NF25, STD8NM60N-1, STD90N02L, STD90N02L-1, STD90NH02LT4, STD95N04, STD95NH02LT4, STD96N3LLH6, IRFZ46N, STD9N40M2, STD9N60M2, STD9N65M2, STD9NM40N, STD9NM50N-1, STE139N65M5, STE145N65M5, STE88N65M5