Справочник MOSFET. STD9HN65M2

 

STD9HN65M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD9HN65M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.82 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD9HN65M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD9HN65M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:492K  st
 std9hn65m2.pdf pdf_icon

STD9HN65M2

STD9HN65M2 N-channel 600 V, 0.71 typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTD9HN65M2 600 V 0.82 5.5 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested Zener-protected Figure 1: Internal schematic diagram Applications D(

Другие MOSFET... STD8NF25 , STD8NM60N-1 , STD90N02L , STD90N02L-1 , STD90NH02LT4 , STD95N04 , STD95NH02LT4 , STD96N3LLH6 , STP65NF06 , STD9N40M2 , STD9N60M2 , STD9N65M2 , STD9NM40N , STD9NM50N-1 , STE139N65M5 , STE145N65M5 , STE88N65M5 .

History: FCB110N65F

 

 
Back to Top

 


 
.