STE139N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STE139N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 672 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 365 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: ISOTOP

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STE139N65M5 datasheet

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STE139N65M5

STE139N65M5 N-channel 650 V, 0.014 typ., 130 A, MDmesh V Power MOSFET in a ISOTOP package Datasheet - preliminary data Features Order code VDS @Tjmax RDS(on) max ID STE139N65M5 710 V 0.017 W 130 A Very low RDS(on) Higher VDSS rating Higher dv/dt capability Excellent switching performance ISOTOP 100% avalanche tested Applications Figure 1. Internal schem

Otros transistores... STD95NH02LT4, STD96N3LLH6, STD9HN65M2, STD9N40M2, STD9N60M2, STD9N65M2, STD9NM40N, STD9NM50N-1, K2611, STE145N65M5, STE88N65M5, STF100N10F7, STF10N105K5, STF10N60M2, STF10N80K5, STF10N95K5, STF10P6F6