STE139N65M5 Todos los transistores

 

STE139N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STE139N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 672 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 365 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOTOP
 

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STE139N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1015K  st
 ste139n65m5.pdf pdf_icon

STE139N65M5

STE139N65M5N-channel 650 V, 0.014 typ., 130 A, MDmesh V Power MOSFET in a ISOTOP packageDatasheet - preliminary dataFeatures Order code VDS @Tjmax RDS(on) max IDSTE139N65M5 710 V 0.017 W 130 A Very low RDS(on) Higher VDSS rating Higher dv/dt capability Excellent switching performanceISOTOP 100% avalanche testedApplicationsFigure 1. Internal schem

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History: SE2300 | DH850N10B | MTP452M3 | IPB144N12N3G | AO4446 | DHF10H035R | LSGC15R085W3

 

 
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