STE139N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STE139N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 672 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 365 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOTOP
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STE139N65M5
STE139N65M5 Datasheet (PDF)
ste139n65m5.pdf
STE139N65M5N-channel 650 V, 0.014 typ., 130 A, MDmesh V Power MOSFET in a ISOTOP packageDatasheet - preliminary dataFeatures Order code VDS @Tjmax RDS(on) max IDSTE139N65M5 710 V 0.017 W 130 A Very low RDS(on) Higher VDSS rating Higher dv/dt capability Excellent switching performanceISOTOP 100% avalanche testedApplicationsFigure 1. Internal schem
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Liste
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