Справочник MOSFET. STE139N65M5

 

STE139N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STE139N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 672 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: ISOTOP
 

 Аналог (замена) для STE139N65M5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STE139N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1015K  st
 ste139n65m5.pdf pdf_icon

STE139N65M5

STE139N65M5N-channel 650 V, 0.014 typ., 130 A, MDmesh V Power MOSFET in a ISOTOP packageDatasheet - preliminary dataFeatures Order code VDS @Tjmax RDS(on) max IDSTE139N65M5 710 V 0.017 W 130 A Very low RDS(on) Higher VDSS rating Higher dv/dt capability Excellent switching performanceISOTOP 100% avalanche testedApplicationsFigure 1. Internal schem

Другие MOSFET... STD95NH02LT4 , STD96N3LLH6 , STD9HN65M2 , STD9N40M2 , STD9N60M2 , STD9N65M2 , STD9NM40N , STD9NM50N-1 , IRF9640 , STE145N65M5 , STE88N65M5 , STF100N10F7 , STF10N105K5 , STF10N60M2 , STF10N80K5 , STF10N95K5 , STF10P6F6 .

History: FQU10N20LTU | APT47F60J | HG3P095N25S

 

 
Back to Top

 


 
.