STE139N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STE139N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 672 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: ISOTOP

Аналог (замена) для STE139N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STE139N65M5 даташит

 ..1. Size:1015K  st
 ste139n65m5.pdf pdf_icon

STE139N65M5

STE139N65M5 N-channel 650 V, 0.014 typ., 130 A, MDmesh V Power MOSFET in a ISOTOP package Datasheet - preliminary data Features Order code VDS @Tjmax RDS(on) max ID STE139N65M5 710 V 0.017 W 130 A Very low RDS(on) Higher VDSS rating Higher dv/dt capability Excellent switching performance ISOTOP 100% avalanche tested Applications Figure 1. Internal schem

Другие IGBT... STD95NH02LT4, STD96N3LLH6, STD9HN65M2, STD9N40M2, STD9N60M2, STD9N65M2, STD9NM40N, STD9NM50N-1, K2611, STE145N65M5, STE88N65M5, STF100N10F7, STF10N105K5, STF10N60M2, STF10N80K5, STF10N95K5, STF10P6F6