STE88N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STE88N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 494 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm

Encapsulados: ISOTOP

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STE88N65M5 datasheet

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STE88N65M5

STE88N65M5 N-channel 650 V, 0.024 typ., 88 A, MDmesh V Power MOSFET in a ISOTOP package Datasheet - production data Features Order code VDS @Tjmax RDS(on) max ID STE88N65M5 710 V 0.029 88 A Very low RDS(on) Higher VDSS rating Higher dv/dt capability Excellent switching performance ISOTOPTM 100% avalanche tested Applications Figure 1. Internal sch

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