STE88N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STE88N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 494 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOTOP
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STE88N65M5 Datasheet (PDF)
ste88n65m5.pdf
STE88N65M5N-channel 650 V, 0.024 typ., 88 A, MDmesh V Power MOSFET in a ISOTOP packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS @Tjmax RDS(on) max IDSTE88N65M5 710 V 0.029 88 A Very low RDS(on) Higher VDSS rating Higher dv/dt capability Excellent switching performanceISOTOPTM 100% avalanche testedApplicationsFigure 1. Internal sch
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History: SFW095N200C3 | FHP5N65C | NCE60P06S
History: SFW095N200C3 | FHP5N65C | NCE60P06S
Liste
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