STE88N65M5 Todos los transistores

 

STE88N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STE88N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 494 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOTOP
 

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STE88N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1002K  st
 ste88n65m5.pdf pdf_icon

STE88N65M5

STE88N65M5N-channel 650 V, 0.024 typ., 88 A, MDmesh V Power MOSFET in a ISOTOP packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS @Tjmax RDS(on) max IDSTE88N65M5 710 V 0.029 88 A Very low RDS(on) Higher VDSS rating Higher dv/dt capability Excellent switching performanceISOTOPTM 100% avalanche testedApplicationsFigure 1. Internal sch

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History: IPG20N06S2L-65 | SPA04N50C3 | IXFH69N30P | IPD90N04S4-03 | IXTP1N80P | IPD65R660CFD | IXFH68N20

 

 
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