Справочник MOSFET. STE88N65M5

 

STE88N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STE88N65M5
   Маркировка: 88N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 494 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 204 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: ISOTOP
 

 Аналог (замена) для STE88N65M5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STE88N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1002K  st
 ste88n65m5.pdf pdf_icon

STE88N65M5

STE88N65M5N-channel 650 V, 0.024 typ., 88 A, MDmesh V Power MOSFET in a ISOTOP packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS @Tjmax RDS(on) max IDSTE88N65M5 710 V 0.029 88 A Very low RDS(on) Higher VDSS rating Higher dv/dt capability Excellent switching performanceISOTOPTM 100% avalanche testedApplicationsFigure 1. Internal sch

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFP255

 

 
Back to Top

 


 
.