STE88N65M5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STE88N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 494 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
Тип корпуса: ISOTOP
Аналог (замена) для STE88N65M5
STE88N65M5 Datasheet (PDF)
ste88n65m5.pdf

STE88N65M5N-channel 650 V, 0.024 typ., 88 A, MDmesh V Power MOSFET in a ISOTOP packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS @Tjmax RDS(on) max IDSTE88N65M5 710 V 0.029 88 A Very low RDS(on) Higher VDSS rating Higher dv/dt capability Excellent switching performanceISOTOPTM 100% avalanche testedApplicationsFigure 1. Internal sch
Другие MOSFET... STD9HN65M2 , STD9N40M2 , STD9N60M2 , STD9N65M2 , STD9NM40N , STD9NM50N-1 , STE139N65M5 , STE145N65M5 , AON7403 , STF100N10F7 , STF10N105K5 , STF10N60M2 , STF10N80K5 , STF10N95K5 , STF10P6F6 , STF110N10F7 , STF11N50M2 .
History: AOD66919 | IRF621FI | PJM2302NSA | MEM2309S | UTT25P10L | 2SJ143
History: AOD66919 | IRF621FI | PJM2302NSA | MEM2309S | UTT25P10L | 2SJ143



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40