IRFU6215PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFU6215PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 66 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.295 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

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IRFU6215PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:241K international rectifier
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PD-95080AIRFR6215PbFIRFU6215PbFHEXFET Power MOSFETl P-Channell 175C Operating TemperatureDl Surface Mount (IRFR6215)VDSS = -150Vl Straight Lead (IRFU6215)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.295l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = -13Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing

..2. Size:648K infineon
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IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET Power MOSFET P-Channel 175C Operating Temperature VDSS -150V Surface Mount (IRFR6215) Straight Lead (IRFU6215) RDS(on) 0.295 Advanced Process Technology Fast Switching ID -13A Fully Avalanche Rated Lead-Free D D Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advan

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: