IRFU6215PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFU6215PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 66 nC
Tiempo de subida (tr): 36 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.295 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFU6215PBF
IRFU6215PBF Datasheet (PDF)
irfr6215pbf irfu6215pbf.pdf
PD-95080AIRFR6215PbFIRFU6215PbFHEXFET Power MOSFETl P-Channell 175C Operating TemperatureDl Surface Mount (IRFR6215)VDSS = -150Vl Straight Lead (IRFU6215)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.295l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = -13Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing
irfr6215pbf irfu6215pbf.pdf
IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET Power MOSFET P-Channel 175C Operating Temperature VDSS -150V Surface Mount (IRFR6215) Straight Lead (IRFU6215) RDS(on) 0.295 Advanced Process Technology Fast Switching ID -13A Fully Avalanche Rated Lead-Free D D Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advan
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