IRFU6215PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFU6215PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 66 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.295 Ohm

Encapsulados: TO-251

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IRFU6215PBF datasheet

 ..1. Size:241K  international rectifier
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IRFU6215PBF

PD-95080A IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET Power MOSFET l P-Channel l 175 C Operating Temperature D l Surface Mount (IRFR6215) VDSS = -150V l Straight Lead (IRFU6215) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.295 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = -13A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing

 ..2. Size:648K  infineon
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IRFU6215PBF

IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET Power MOSFET P-Channel 175 C Operating Temperature VDSS -150V Surface Mount (IRFR6215) Straight Lead (IRFU6215) RDS(on) 0.295 Advanced Process Technology Fast Switching ID -13A Fully Avalanche Rated Lead-Free D D Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advan

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