IRFU6215PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFU6215PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 66 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.295 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для IRFU6215PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFU6215PBF даташит

 ..1. Size:241K  international rectifier
 irfr6215pbf irfu6215pbf.pdf pdf_icon

IRFU6215PBF

PD-95080A IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET Power MOSFET l P-Channel l 175 C Operating Temperature D l Surface Mount (IRFR6215) VDSS = -150V l Straight Lead (IRFU6215) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.295 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = -13A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing

 ..2. Size:648K  infineon
 irfr6215pbf irfu6215pbf.pdf pdf_icon

IRFU6215PBF

IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET Power MOSFET P-Channel 175 C Operating Temperature VDSS -150V Surface Mount (IRFR6215) Straight Lead (IRFU6215) RDS(on) 0.295 Advanced Process Technology Fast Switching ID -13A Fully Avalanche Rated Lead-Free D D Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advan

Другие IGBT... STF11N65M2, STF11N65M5, STF11NM60N, STF11NM65N, IRFU540Z, IRFU540ZPBF, IRFU5410PBF, IRFU5505PBF, IRFZ44, IRFU9010PBF, IRFU9014PBF, IRFU9020PBF, IRFU9024NPBF, IRFU9024PBF, IRFU9110PBF, IRFU9120NPBF, IRFU9120PBF