Справочник MOSFET. IRFU6215PBF

 

IRFU6215PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFU6215PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 66 nC
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.295 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для IRFU6215PBF

 

 

IRFU6215PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  international rectifier
 irfr6215pbf irfu6215pbf.pdf

IRFU6215PBF IRFU6215PBF

PD-95080AIRFR6215PbFIRFU6215PbFHEXFET Power MOSFETl P-Channell 175C Operating TemperatureDl Surface Mount (IRFR6215)VDSS = -150Vl Straight Lead (IRFU6215)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.295l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = -13Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing

 ..2. Size:648K  infineon
 irfr6215pbf irfu6215pbf.pdf

IRFU6215PBF IRFU6215PBF

IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET Power MOSFET P-Channel 175C Operating Temperature VDSS -150V Surface Mount (IRFR6215) Straight Lead (IRFU6215) RDS(on) 0.295 Advanced Process Technology Fast Switching ID -13A Fully Avalanche Rated Lead-Free D D Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advan

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top