IXFN340N07 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFN340N07
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 700 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 70 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 340 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Encapsulados: SOT227B
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IXFN340N07 datasheet
ixfn340n07.pdf
HiPerFETTM IXFN 340N07 VDSS = 70 V Power MOSFETs ID25 = 340 A Single Die MOSFET RDS(on) = 4 m D trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C70 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 70 V G VGS Co
ixfn34n80.pdf
HiPerFETTM Power MOSFETs IXFN 34N80 VDSS = 800 V Single DieMOSFET ID25 = 34 A RDS(on) = 0.24 W N-Channel Enhancement Mode D Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr trr 250 ns Preliminary data sheet S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 800 V G VGS Continuous 20 V VGSM Transi
ixfn34n100.pdf
IXFN 34N100 VDSS = 1000V HiPerFETTM ID25 = 34A Power MOSFETs RDS(on) = 0.28 Single Die MOSFET D N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr G S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V G VGS Continuous 20 V VGSM Tran
ixfk32n60 ixfn32n60 ixfk36n60 ixfn36n60.pdf
IXFK 32N60 IXFN 32N60 IXFK 36N60 IXFN 36N60 Preliminary Data VDSS ID25 RDS(on) trr IXFK/FN 36N60 600V 36A 0.18 250ns HiPerFETTM Power MOSFET IXFK/FN 32N60 600V 32A 0.25 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1
Otros transistores... IXFN200N07 , IXFN230N10 , IXFN24N100 , IXFN25N90 , IXFN26N90 , IXFN27N80 , IXFN280N07 , IXFN32N60 , AOD4184A , IXFN34N80 , IXFN36N100 , IXFN36N60 , IXFN39N90 , IXFN44N50 , IXFN44N50U2 , IXFN44N50U3 , IXFN44N60 .
History: 2SK2351
History: 2SK2351
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Liste
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