IXFN340N07. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IXFN340N07
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 340 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 7100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: SOT227B
Аналог (замена) для IXFN340N07
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IXFN340N07 даташит
ixfn340n07.pdf
HiPerFETTM IXFN 340N07 VDSS = 70 V Power MOSFETs ID25 = 340 A Single Die MOSFET RDS(on) = 4 m D trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C70 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 70 V G VGS Co
ixfn34n80.pdf
HiPerFETTM Power MOSFETs IXFN 34N80 VDSS = 800 V Single DieMOSFET ID25 = 34 A RDS(on) = 0.24 W N-Channel Enhancement Mode D Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr trr 250 ns Preliminary data sheet S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 800 V G VGS Continuous 20 V VGSM Transi
ixfn34n100.pdf
IXFN 34N100 VDSS = 1000V HiPerFETTM ID25 = 34A Power MOSFETs RDS(on) = 0.28 Single Die MOSFET D N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr G S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V G VGS Continuous 20 V VGSM Tran
ixfk32n60 ixfn32n60 ixfk36n60 ixfn36n60.pdf
IXFK 32N60 IXFN 32N60 IXFK 36N60 IXFN 36N60 Preliminary Data VDSS ID25 RDS(on) trr IXFK/FN 36N60 600V 36A 0.18 250ns HiPerFETTM Power MOSFET IXFK/FN 32N60 600V 32A 0.25 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1
Другие MOSFET... IXFN200N07 , IXFN230N10 , IXFN24N100 , IXFN25N90 , IXFN26N90 , IXFN27N80 , IXFN280N07 , IXFN32N60 , AOD4184A , IXFN34N80 , IXFN36N100 , IXFN36N60 , IXFN39N90 , IXFN44N50 , IXFN44N50U2 , IXFN44N50U3 , IXFN44N60 .
History: BR75N08 | AO4624 | IXFR32N50Q | IRFH8325 | AO4912
History: BR75N08 | AO4624 | IXFR32N50Q | IRFH8325 | AO4912
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058






