IRFZ40PBF Todos los transistores

 

IRFZ40PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFZ40PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 920 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFZ40PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1476K  vishay
 irfz40pbf sihfz40.pdf pdf_icon

IRFZ40PBF

IRFZ40, SiHFZ40Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60 175 C Operating TemperatureRDS(on) ()VGS = 10 V 0.028 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 67 Ease of ParallelingQgs (nC) 18Qgd (nC) 25 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDESCRIPTIONThird generatio

 8.1. Size:181K  1
 irfz40fi.pdf pdf_icon

IRFZ40PBF

IRFZ40IRFZ40FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDIRFZ40 50 V

 8.2. Size:181K  international rectifier
 irfz40.pdf pdf_icon

IRFZ40PBF

IRFZ40IRFZ40FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDIRFZ40 50 V

 8.3. Size:351K  st
 irfz40 irfz42.pdf pdf_icon

IRFZ40PBF

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History: 2SK3352B | 2SK4146-S19-AY | 2N6904JANTXV | OSG60R180DT3F | MDS1654URH | FQT3P20 | SWF4N65D

 

 
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