IRFZ40PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFZ40PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 920 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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IRFZ40PBF datasheet

 ..1. Size:1476K  vishay
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IRFZ40PBF

IRFZ40, SiHFZ40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 175 C Operating Temperature RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.028 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 67 Ease of Paralleling Qgs (nC) 18 Qgd (nC) 25 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D DESCRIPTION Third generatio

 8.1. Size:181K  1
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IRFZ40PBF

IRFZ40 IRFZ40FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE VDSS RDS(on) ID IRFZ40 50 V

 8.2. Size:181K  international rectifier
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IRFZ40PBF

IRFZ40 IRFZ40FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE VDSS RDS(on) ID IRFZ40 50 V

 8.3. Size:351K  st
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IRFZ40PBF

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