IRFZ40PBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFZ40PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 920 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для IRFZ40PBF
IRFZ40PBF Datasheet (PDF)
irfz40pbf sihfz40.pdf
IRFZ40, SiHFZ40Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60 175 C Operating TemperatureRDS(on) ()VGS = 10 V 0.028 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 67 Ease of ParallelingQgs (nC) 18Qgd (nC) 25 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDESCRIPTIONThird generatio
irfz40fi.pdf
IRFZ40IRFZ40FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDIRFZ40 50 V
irfz40.pdf
IRFZ40IRFZ40FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDIRFZ40 50 V
Другие MOSFET... IRFZ30PBF , IRFZ34EPBF , IRFZ34L , IRFZ34NLPBF , IRFZ34NPBF , IRFZ34NSPBF , IRFZ34PBF , IRFZ34S , RU7088R , IRFZ44EPBF , IRFZ44ESPBF , IRFZ44L , IRFZ44NLPBF , IRFZ44NPBF , IRFZ44NSPBF , IRFZ44PBF , IRFZ44R .
History: AP200N12T | AP20N65F | AP90N06P | IPZA60R080P7 | IRL3705ZL
History: AP200N12T | AP20N65F | AP90N06P | IPZA60R080P7 | IRL3705ZL
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM25N15C | AGM2319EL | AGM2309EL | AGM218MAP | AGM216MNE | AGM216ME | AGM215TS | AGM215MNE | AGM210S | AGM210MAP | AGM210AP | AGM20T09LL | AGM20T09C | AGM20P30AP1 | AGM20P30AP | AGM312D
Popular searches
d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement







