Справочник MOSFET. IRFZ40PBF

 

IRFZ40PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFZ40PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 67 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 920 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для IRFZ40PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFZ40PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1476K  vishay
 irfz40pbf sihfz40.pdf pdf_icon

IRFZ40PBF

IRFZ40, SiHFZ40Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60 175 C Operating TemperatureRDS(on) ()VGS = 10 V 0.028 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 67 Ease of ParallelingQgs (nC) 18Qgd (nC) 25 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDESCRIPTIONThird generatio

 8.1. Size:181K  1
 irfz40fi.pdf pdf_icon

IRFZ40PBF

IRFZ40IRFZ40FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDIRFZ40 50 V

 8.2. Size:181K  international rectifier
 irfz40.pdf pdf_icon

IRFZ40PBF

IRFZ40IRFZ40FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDIRFZ40 50 V

 8.3. Size:351K  st
 irfz40 irfz42.pdf pdf_icon

IRFZ40PBF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SM2416NSAN

 

 
Back to Top

 


 
.