IXFN44N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFN44N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Encapsulados: SOT227B
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IXFN44N60 datasheet
ixfn44n60.pdf
HiPerFETTM IXFN 44N60 VDSS = 600 V Power MOSFETs ID25 = 44 A Single Die MOSFET RDS(on) = 130 mW D trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 600 V G VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V S I
ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf
VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C
ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf
VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C
ixfn44n50u2-u3 ixfn48n50u2-u3.pdf
VDSS ID (cont) RDS(on) trr HiPerFETTM 500 V 44 A 0.12 W 35 ns IXFN44N50U2 IXFN44N50U3 Power MOSFETs IXFN48N50U2 IXFN48N50U3 500 V 48 A 0.10 W 35 ns 3 3 Buck & Boost Configurations for PFC & Motor Control Circuits 4 2 2 Preliminary data 4 1 1 miniBLOC, SOT-227 B Symbol Test Conditions Maximum Ratings 1 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V 2 VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 5
Otros transistores... IXFN340N07 , IXFN34N80 , IXFN36N100 , IXFN36N60 , IXFN39N90 , IXFN44N50 , IXFN44N50U2 , IXFN44N50U3 , IRF740 , IXFN44N80 , IXFN48N50 , IXFN48N50U3 , IXFN50N50 , IXFN55N50 , IXFN60N60 , IXFN73N30 , IXFN80N50 .
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Liste
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MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
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