Справочник MOSFET. IXFN44N60

 

IXFN44N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFN44N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 330 nC
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXFN44N60

 

 

IXFN44N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  ixys
 ixfn44n60.pdf

IXFN44N60 IXFN44N60

HiPerFETTMIXFN 44N60 VDSS = 600 VPower MOSFETsID25 = 44 ASingle Die MOSFET RDS(on) = 130 mWDtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeGAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSSSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 BE153432VDSS TJ = 25C to 150C 600 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 VGVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VSI

 7.1. Size:162K  ixys
 ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf

IXFN44N60 IXFN44N60

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

 7.2. Size:108K  ixys
 ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf

IXFN44N60 IXFN44N60

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

 7.3. Size:151K  ixys
 ixfn44n50u2-u3 ixfn48n50u2-u3.pdf

IXFN44N60 IXFN44N60

VDSS ID (cont) RDS(on) trrHiPerFETTM500 V 44 A 0.12 W 35 nsIXFN44N50U2 IXFN44N50U3Power MOSFETsIXFN48N50U2 IXFN48N50U3 500 V 48 A 0.10 W 35 ns3 3Buck & Boost Configurations forPFC & Motor Control Circuits422Preliminary data411miniBLOC, SOT-227 BSymbol Test Conditions Maximum Ratings1VDSS TJ = 25C to 150C 500 V2VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 5

 7.4. Size:138K  ixys
 ixfn44n80.pdf

IXFN44N60 IXFN44N60

IXFN 44N80 VDSS = 800 VHiPerFETTMID25 = 44 APower MOSFETsRDS(on) = 0.165 Single MOSFET DieDN-Channel Enhancement ModeGAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)VDSS TJ = 25C to 150C 800 V E153432SVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VGVGS Continuous 20 VVGSM Tran

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top