IRHF67230 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHF67230
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 214 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-39
Búsqueda de reemplazo de IRHF67230 MOSFET
IRHF67230 PDF Specs
irhf67230.pdf
PD-97311 RADIATION HARDENED IRHF67230 POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-39) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF67230 100K Rads (Si) 0.145 9.1A IRHF63230 300K Rads (Si) 0.145 9.1A T0-39 International Rectifier s R6TM technology provides superior power MOSFETs for space applications. These devices have improved immunity to Single ... See More ⇒
Otros transistores... IRFZ48ZPBF , IRFZ48ZSPBF , IRHF57214SE , IRHF57230 , IRHF57234SE , IRHF597110 , IRHF597130 , IRHF597230 , 2N7002 , IRHF7110 , STF12N120K5 , STF12N50M2 , STF12N60M2 , STF12N65M2 , STF12NK80Z , STF12NM50N , STF12NM60N .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP3N50K | AP3N50F | AP3912GD | AP3415E | AP3404S | AP3404 | AP3205 | AP3139 | AP3134N5 | AP3101A | AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K
Popular searches
60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet