IRHF67230 Todos los transistores

 

IRHF67230 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHF67230
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 214 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-39
 

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IRHF67230 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  international rectifier
 irhf67230.pdf pdf_icon

IRHF67230

PD-97311RADIATION HARDENED IRHF67230POWER MOSFET 200V, N-CHANNELTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-39)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF67230 100K Rads (Si) 0.145 9.1A IRHF63230 300K Rads (Si) 0.145 9.1AT0-39International Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.These devices have improved immunity to Single

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History: STF10N80K5 | STD100N03LT4 | ELM35601KA | F60W60CP | IRFU24N15D | RZF030P01 | AOB66919L

 

 
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