IRHF67230 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHF67230  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 214 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm

Encapsulados: TO-39

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IRHF67230 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRHF67230 datasheet

 ..1. Size:203K  international rectifier
 irhf67230.pdf pdf_icon

IRHF67230

PD-97311 RADIATION HARDENED IRHF67230 POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-39) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF67230 100K Rads (Si) 0.145 9.1A IRHF63230 300K Rads (Si) 0.145 9.1A T0-39 International Rectifier s R6TM technology provides superior power MOSFETs for space applications. These devices have improved immunity to Single

Otros transistores... IRFZ48ZPBF, IRFZ48ZSPBF, IRHF57214SE, IRHF57230, IRHF57234SE, IRHF597110, IRHF597130, IRHF597230, IRF9540N, IRHF7110, STF12N120K5, STF12N50M2, STF12N60M2, STF12N65M2, STF12NK80Z, STF12NM50N, STF12NM60N