IRHF67230 Todos los transistores

 

IRHF67230 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHF67230
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 214 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-39
 

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IRHF67230 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  international rectifier
 irhf67230.pdf pdf_icon

IRHF67230

PD-97311RADIATION HARDENED IRHF67230POWER MOSFET 200V, N-CHANNELTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-39)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF67230 100K Rads (Si) 0.145 9.1A IRHF63230 300K Rads (Si) 0.145 9.1AT0-39International Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.These devices have improved immunity to Single

Otros transistores... IRFZ48ZPBF , IRFZ48ZSPBF , IRHF57214SE , IRHF57230 , IRHF57234SE , IRHF597110 , IRHF597130 , IRHF597230 , K4145 , IRHF7110 , STF12N120K5 , STF12N50M2 , STF12N60M2 , STF12N65M2 , STF12NK80Z , STF12NM50N , STF12NM60N .

History: IRF7607 | ELM33411CA | IXTT110N10L2 | IXFA18N65X2 | AON6710 | HY3712P | CS640

 

 
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