Справочник MOSFET. IRHF67230

 

IRHF67230 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHF67230
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 214 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm
   Тип корпуса: TO-39
 

 Аналог (замена) для IRHF67230

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHF67230 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  international rectifier
 irhf67230.pdf pdf_icon

IRHF67230

PD-97311RADIATION HARDENED IRHF67230POWER MOSFET 200V, N-CHANNELTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-39)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF67230 100K Rads (Si) 0.145 9.1A IRHF63230 300K Rads (Si) 0.145 9.1AT0-39International Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.These devices have improved immunity to Single

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.