IRHF67230 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRHF67230  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 214 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm

Тип корпуса: TO-39

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRHF67230

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHF67230 даташит

 ..1. Size:203K  international rectifier
 irhf67230.pdf pdf_icon

IRHF67230

PD-97311 RADIATION HARDENED IRHF67230 POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-39) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF67230 100K Rads (Si) 0.145 9.1A IRHF63230 300K Rads (Si) 0.145 9.1A T0-39 International Rectifier s R6TM technology provides superior power MOSFETs for space applications. These devices have improved immunity to Single

Другие IGBT... IRFZ48ZPBF, IRFZ48ZSPBF, IRHF57214SE, IRHF57230, IRHF57234SE, IRHF597110, IRHF597130, IRHF597230, IRF9540N, IRHF7110, STF12N120K5, STF12N50M2, STF12N60M2, STF12N65M2, STF12NK80Z, STF12NM50N, STF12NM60N