IXFN60N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFN60N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 700 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227B

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFN60N60

IXFN60N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:71K ixys
ixfn60n60.pdf

IXFN 60N60HiPerFETTM VDSS = 600 VID25 = 60 APower MOSFETsRDS(on) = 75 mWSingle Die MOSFETDN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrGPreliminary dataSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 600 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 VGVGS Continuous 20 VVGSM Transient

7.1. Size:145K ixys
ixfn60n80p.pdf

IXFN 60N80PVDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 53 APower MOSFET RDS(on) 140 m trr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VSGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M

9.1. Size:148K ixys
ixfn64n60p.pdf

VDSS = 600 VIXFN 64N60PPolarHVTM HiPerFETID25 = 50 APower MOSFET RDS(on) 96 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432SSymbol Test Conditions Maximum Ratings GVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VS

9.2. Size:144K ixys
ixfn64n50p.pdf

IXFN 64N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 61 APower MOSFET RDS(on) 85 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VSVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VG

Otros transistores... IXFN44N50U2 , IXFN44N50U3 , IXFN44N60 , IXFN44N80 , IXFN48N50 , IXFN48N50U3 , IXFN50N50 , IXFN55N50 , IRFP460 , IXFN73N30 , IXFN80N50 , IXFN90N30 , IXFR10N100Q , IXFR120N20 , IXFR12N100Q , IXFR15N80Q , IXFR180N07 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: