STF34N65M5 Todos los transistores

 

STF34N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STF34N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: TO-220FP

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STF34N65M5 datasheet

 ..1. Size:1315K  st
stb34n65m5 stf34n65m5 stfi34n65m5 stp34n65m5 stw34n65m5.pdf pdf_icon

STF34N65M5

STB34N65M5, STF34N65M5, STFI34N65M5, STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5 N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, I2PAKFP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDSS @ RDS(on) Order codes ID 2 TJmax max 3 1 3 STB34N65M5 2 D2PAK 1 TO-220FP STF34N65M5 I2PAKFP STFI34N65M5 TAB TAB 710 V

 8.1. Size:510K  st
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STF34N65M5

STF34NM60N STP34NM60N, STW34NM60N N-channel 600 V, 0.092 , 29 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-247, TO-220FP Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID PTOT max. 3 3 2 2 STF34NM60N 600 V 0.105 29 A 40 W 1 1 STP34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 W TO-247 TO-220 STW34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 W 100% avalanche tested 3 Low input capacitance and ga

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stw34nm60nd stb34nm60nd stf34nm60nd stp34nm60nd.pdf pdf_icon

STF34N65M5

STB34NM60ND, STF34NM60ND, STP34NM60ND, STW34NM60ND N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 Datasheet production data Features TAB Order codes VDS @TJ max. RDS(on) max. ID 3 1 STB34NM60ND 3 2 1 D2PAK STF34NM60ND TO-220FP 650 V 0.110 29 A STP34NM60ND TAB STW34NM60ND The world s bes

 8.3. Size:201K  inchange semiconductor
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STF34N65M5

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor STF34NM60ND FEATURES With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 600 V DSS V Ga

Otros transistores... STF2N95K5 , STF30N10F7 , STF30NM60N , STF30NM60ND , STF31N65M5 , STF32NM50N , STF33N60M2 , STF33N65M2 , RU7088R , STF38N65M5 , STF3HNK90Z , STF3N80K5 , STF40N20 , STF40N60M2 , STF40N65M2 , STF40NF03L , STF45N10F7 .

History: AOD536 | AOD5N40 | GMS2302

 

 

 

 

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