STF34N65M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STF34N65M5
Маркировка: 34N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 62.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 8.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для STF34N65M5
STF34N65M5 Datasheet (PDF)
stb34n65m5 stf34n65m5 stfi34n65m5 stp34n65m5 stw34n65m5.pdf
STB34N65M5, STF34N65M5, STFI34N65M5,STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, I2PAKFP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) Order codes ID2TJmax max313STB34N65M52D2PAK1TO-220FPSTF34N65M5I2PAKFPSTFI34N65M5 TABTAB710 V
stf34nm60n stp34nm60n stw34nm60n.pdf
STF34NM60NSTP34NM60N, STW34NM60NN-channel 600 V, 0.092 , 29 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-247, TO-220FPPreliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PTOTmax.3322STF34NM60N 600 V 0.105 29 A 40 W11STP34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 WTO-247TO-220STW34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 W 100% avalanche tested3 Low input capacitance and ga
stw34nm60nd stb34nm60nd stf34nm60nd stp34nm60nd.pdf
STB34NM60ND, STF34NM60ND, STP34NM60ND, STW34NM60NDN-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247Datasheet production dataFeatures TABOrder codes VDS @TJ max. RDS(on) max. ID31STB34NM60ND321D2PAKSTF34NM60NDTO-220FP650 V 0.110 29 A STP34NM60NDTABSTW34NM60ND The worlds bes
stf34nm60nd.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STF34NM60NDFEATURESWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600 VDSSV Ga
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100