IXFR180N07 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFR180N07
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 420 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4600 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IXFR180N07 MOSFET
IXFR180N07 Datasheet (PDF)
ixfr180n07.pdf

HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 180N07 VDSS = 70 VISOPLUS247TMID25 = 180 A(Electrically Isolated Back Surface)RDS(on)= 6 mWtrr 250 nsSingle MOSFET DiePreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TMVDSS TJ = 25C to 150C70 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 70 VGVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VIsolated back surface*ID
ixfr180n085.pdf

HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 180N085 VDSS = 85 VISOPLUS247TMID25 = 180 A(Electrically Isolated Back Surface)RDS(on)= 7 mWtrr 250 nsSingle MOSFET DiePreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432VDSS TJ = 25C to 150C85 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 85 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25C
ixfr180n15p.pdf

IXFR 180N15P VDSS = 150 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 100 APower MOSFET RDS(on) 13 m ISOPLUS247TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V E153432VDGR TJ
ixfr180n10.pdf

HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 180N10 VDSS = 100 VISOPLUS247TMID25 = 165 A(Electrically Isolated Back Surface) RDS(on)= 8 mWtrr 250 nsSingle MOSFET DiePreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TMVDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 VVGS Continuous 20 VGVGSM Transient 30 VDIsolated back surface*ID25
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: STP5NA50 | IRFM350



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
Popular searches
tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor