IXFR180N07 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFR180N07  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFR180N07

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR180N07 даташит

 ..1. Size:32K  ixys
 ixfr180n07.pdf pdf_icon

IXFR180N07

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 180N07 VDSS = 70 V ISOPLUS247TM ID25 = 180 A (Electrically Isolated Back Surface) RDS(on)= 6 mW trr 250 ns Single MOSFET Die Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM VDSS TJ = 25 C to 150 C70 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 70 V G VGS Continuous 20 V D VGSM Transient 30 V Isolated back surface* ID

 5.1. Size:57K  ixys
 ixfr180n085.pdf pdf_icon

IXFR180N07

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 180N085 VDSS = 85 V ISOPLUS247TM ID25 = 180 A (Electrically Isolated Back Surface) RDS(on)= 7 mW trr 250 ns Single MOSFET Die Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C85 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 85 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V G D ID25 TC = 25 C

 6.1. Size:152K  ixys
 ixfr180n15p.pdf pdf_icon

IXFR180N07

IXFR 180N15P VDSS = 150 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 100 A Power MOSFET RDS(on) 13 m ISOPLUS247TM trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXFR) VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V E153432 VDGR TJ

 6.2. Size:33K  ixys
 ixfr180n10.pdf pdf_icon

IXFR180N07

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 180N10 VDSS = 100 V ISOPLUS247TM ID25 = 165 A (Electrically Isolated Back Surface) RDS(on)= 8 mW trr 250 ns Single MOSFET Die Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 100 V VGS Continuous 20 V G VGSM Transient 30 V D Isolated back surface* ID25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFN60N60, IXFN73N30, IXFN80N50, IXFN90N30, IXFR10N100Q, IXFR120N20, IXFR12N100Q, IXFR15N80Q, IRF640N, IXFR180N085, IXFR180N10, IXFR24N100, IXFR24N50, IXFR24N50Q, IXFR26N50, IXFR26N50Q, IXFR30N50Q