STH110N10F7-6 Todos los transistores

 

STH110N10F7-6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH110N10F7-6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 992 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-6
 

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STH110N10F7-6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  st
 sth110n10f7-2 sth110n10f7-6.pdf pdf_icon

STH110N10F7-6

STH110N10F7-2, STH110N10F7-6 N-channel 100 V, 4.9 m typ.,110 A, STripFET F7 Power MOSFETs in HPAK-2 and HPAK-6 packages Datasheet - production data TAB Features TABRDS(on) Order code VDS ID PTOT max. 72STH110N10F7-2 31 100 V 6.5 m 110 A 150 W 1STH110N10F7-6 H2PAK-6H2PAK-2Figure 1: Internal schematic diagram Among the lowest RDS(on) on the mar

Otros transistores... STFW24N60M2 , STFW2N105K5 , STFW38N65M5 , STFW3N170 , STFW40N60M2 , STFW45N65M5 , STFW69N65M5 , STH110N10F7-2 , 13N50 , STH12N120K5-2 , STH130N10F3-2 , STH140N8F7-2 , STH150N10F7-2 , STH15NB50FI , STH160N4LF6-2 , STH170N8F7-2 , STH175N4F6-2AG .

History: TPN2R203NC | JST2300 | FDC645N | FCPF11N60F | IRF9310PBF | IRF622FI | CS540A4

 

 
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