Справочник MOSFET. STH110N10F7-6

 

STH110N10F7-6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STH110N10F7-6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 992 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-6

 Аналог (замена) для STH110N10F7-6

 

 

STH110N10F7-6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  st
 sth110n10f7-2 sth110n10f7-6.pdf

STH110N10F7-6 STH110N10F7-6

STH110N10F7-2, STH110N10F7-6 N-channel 100 V, 4.9 m typ.,110 A, STripFET F7 Power MOSFETs in HPAK-2 and HPAK-6 packages Datasheet - production data TAB Features TABRDS(on) Order code VDS ID PTOT max. 72STH110N10F7-2 31 100 V 6.5 m 110 A 150 W 1STH110N10F7-6 H2PAK-6H2PAK-2Figure 1: Internal schematic diagram Among the lowest RDS(on) on the mar

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: IXFC13N50

 

 
Back to Top