Справочник MOSFET. STH110N10F7-6

 

STH110N10F7-6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH110N10F7-6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 992 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-6
 

 Аналог (замена) для STH110N10F7-6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH110N10F7-6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  st
 sth110n10f7-2 sth110n10f7-6.pdf pdf_icon

STH110N10F7-6

STH110N10F7-2, STH110N10F7-6 N-channel 100 V, 4.9 m typ.,110 A, STripFET F7 Power MOSFETs in HPAK-2 and HPAK-6 packages Datasheet - production data TAB Features TABRDS(on) Order code VDS ID PTOT max. 72STH110N10F7-2 31 100 V 6.5 m 110 A 150 W 1STH110N10F7-6 H2PAK-6H2PAK-2Figure 1: Internal schematic diagram Among the lowest RDS(on) on the mar

Другие MOSFET... STFW24N60M2 , STFW2N105K5 , STFW38N65M5 , STFW3N170 , STFW40N60M2 , STFW45N65M5 , STFW69N65M5 , STH110N10F7-2 , 13N50 , STH12N120K5-2 , STH130N10F3-2 , STH140N8F7-2 , STH150N10F7-2 , STH15NB50FI , STH160N4LF6-2 , STH170N8F7-2 , STH175N4F6-2AG .

 

 
Back to Top

 


 
.