STH110N10F7-6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH110N10F7-6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 992 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: H2PAK-6

Аналог (замена) для STH110N10F7-6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH110N10F7-6 даташит

 ..1. Size:858K  st
 sth110n10f7-2 sth110n10f7-6.pdf pdf_icon

STH110N10F7-6

STH110N10F7-2, STH110N10F7-6 N-channel 100 V, 4.9 m typ.,110 A, STripFET F7 Power MOSFETs in H PAK-2 and H PAK-6 packages Datasheet - production data TAB Features TAB RDS(on) Order code VDS ID PTOT max. 7 2 STH110N10F7-2 3 1 100 V 6.5 m 110 A 150 W 1 STH110N10F7-6 H2PAK-6 H2PAK-2 Figure 1 Internal schematic diagram Among the lowest RDS(on) on the mar

Другие IGBT... STFW24N60M2, STFW2N105K5, STFW38N65M5, STFW3N170, STFW40N60M2, STFW45N65M5, STFW69N65M5, STH110N10F7-2, 5N60, STH12N120K5-2, STH130N10F3-2, STH140N8F7-2, STH150N10F7-2, STH15NB50FI, STH160N4LF6-2, STH170N8F7-2, STH175N4F6-2AG