STH130N10F3-2 Todos los transistores

 

STH130N10F3-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH130N10F3-2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 373 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-2
 

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STH130N10F3-2 Datasheet (PDF)

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STH130N10F3-2

STF130N10F3, STFI130N10F3,STH130N10F3-2, STP130N10F3N-channel 100 V, 7.8 m typ., 120 A STripFETIII Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, HPAK-2 and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max. ID3STF130N10F3219.6 m 46 A12STFI130N10F3 3TO-220FP100 VIPAKFPSTH130N10F3-2 9.3 mTAB120 ASTP130N10F3 9.6 m TAB

 8.1. Size:232K  st
 sth13009.pdf pdf_icon

STH130N10F3-2

STH13009High voltage fast-switching NPN power transistorPreliminary data.Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Very high switching speedApplications3 Switching mode power supplies21TO-220DescriptionThe device is manufactured using high voltage Figure 1. Internal schematic diagramMulti Epitaxial Planar technology for high

 9.1. Size:332K  st
 stw13nb60 sth13nb60fi.pdf pdf_icon

STH130N10F3-2

STW13NB60STH13NB60FIN - CHANNEL 600V - 0.48 - 13A - TO-247/ISOWATT218PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW13NB60 600 V

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History: SI2306DS | IRLZ24NSPBF | SIZ704DT

 

 
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