STH130N10F3-2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STH130N10F3-2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 38 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 373 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
Тип корпуса: H2PAK-2
Аналог (замена) для STH130N10F3-2
STH130N10F3-2 Datasheet (PDF)
stf130n10f3 stfi130n10f3 sth130n10f3-2 stp130n10f3.pdf
STF130N10F3, STFI130N10F3,STH130N10F3-2, STP130N10F3N-channel 100 V, 7.8 m typ., 120 A STripFETIII Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, HPAK-2 and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max. ID3STF130N10F3219.6 m 46 A12STFI130N10F3 3TO-220FP100 VIPAKFPSTH130N10F3-2 9.3 mTAB120 ASTP130N10F3 9.6 m TAB
sth13009.pdf
STH13009High voltage fast-switching NPN power transistorPreliminary data.Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Very high switching speedApplications3 Switching mode power supplies21TO-220DescriptionThe device is manufactured using high voltage Figure 1. Internal schematic diagramMulti Epitaxial Planar technology for high
stw13nb60 sth13nb60fi.pdf
STW13NB60STH13NB60FIN - CHANNEL 600V - 0.48 - 13A - TO-247/ISOWATT218PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW13NB60 600 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918