STH160N4LF6-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STH160N4LF6-2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 131 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
Paquete / Cubierta: H2PAK-2
Búsqueda de reemplazo de STH160N4LF6-2 MOSFET
STH160N4LF6-2 Datasheet (PDF)
sth160n4lf6-2.pdf

STH160N4LF6-2N-channel 40 V, 0.0018 m typ., 120 A, STripFET VIDeepGATE Power MOSFET in a HPAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID PTOTSTH160N4LF6-2 40 V 0.0022 120 A 150 WTAB RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on)231 Logic level driveH2PAK-2 High avalanche ruggedness 1
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History: IRLH5036 | FIR4N65LG | NCEP060N10F | WST4041 | SMN04L20D | WPM3021 | WM06P17MR
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