STH160N4LF6-2 Todos los transistores

 

STH160N4LF6-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH160N4LF6-2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 131 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-2
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STH160N4LF6-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1024K  st
 sth160n4lf6-2.pdf pdf_icon

STH160N4LF6-2

STH160N4LF6-2N-channel 40 V, 0.0018 m typ., 120 A, STripFET VIDeepGATE Power MOSFET in a HPAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID PTOTSTH160N4LF6-2 40 V 0.0022 120 A 150 WTAB RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on)231 Logic level driveH2PAK-2 High avalanche ruggedness 1

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