STH160N4LF6-2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STH160N4LF6-2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 131 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm

Encapsulados: H2PAK-2

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STH160N4LF6-2 datasheet

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STH160N4LF6-2

STH160N4LF6-2 N-channel 40 V, 0.0018 m typ., 120 A, STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a H PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID PTOT STH160N4LF6-2 40 V 0.0022 120 A 150 W TAB RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) 2 3 1 Logic level drive H2PAK-2 High avalanche ruggedness 1

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