Справочник MOSFET. STH160N4LF6-2

 

STH160N4LF6-2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STH160N4LF6-2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 131 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-2

 Аналог (замена) для STH160N4LF6-2

 

 

STH160N4LF6-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1024K  st
 sth160n4lf6-2.pdf

STH160N4LF6-2 STH160N4LF6-2

STH160N4LF6-2N-channel 40 V, 0.0018 m typ., 120 A, STripFET VIDeepGATE Power MOSFET in a HPAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID PTOTSTH160N4LF6-2 40 V 0.0022 120 A 150 WTAB RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on)231 Logic level driveH2PAK-2 High avalanche ruggedness 1

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top