Справочник MOSFET. STH160N4LF6-2

 

STH160N4LF6-2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH160N4LF6-2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 131 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-2
 

 Аналог (замена) для STH160N4LF6-2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH160N4LF6-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1024K  st
 sth160n4lf6-2.pdf pdf_icon

STH160N4LF6-2

STH160N4LF6-2N-channel 40 V, 0.0018 m typ., 120 A, STripFET VIDeepGATE Power MOSFET in a HPAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID PTOTSTH160N4LF6-2 40 V 0.0022 120 A 150 WTAB RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on)231 Logic level driveH2PAK-2 High avalanche ruggedness 1

Другие MOSFET... STFW69N65M5 , STH110N10F7-2 , STH110N10F7-6 , STH12N120K5-2 , STH130N10F3-2 , STH140N8F7-2 , STH150N10F7-2 , STH15NB50FI , CS150N03A8 , STH170N8F7-2 , STH175N4F6-2AG , STH175N4F6-6AG , STH180N10F3-6 , STH185N10F3-2 , STH185N10F3-6 , STH240N10F7-2 , STH240N10F7-6 .

History: IRFL014PBF | IRHQ9110

 

 
Back to Top

 


 
.