STH160N4LF6-2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH160N4LF6-2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 131 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm

Тип корпуса: H2PAK-2

Аналог (замена) для STH160N4LF6-2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH160N4LF6-2 даташит

 ..1. Size:1024K  st
 sth160n4lf6-2.pdf pdf_icon

STH160N4LF6-2

STH160N4LF6-2 N-channel 40 V, 0.0018 m typ., 120 A, STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a H PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID PTOT STH160N4LF6-2 40 V 0.0022 120 A 150 W TAB RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) 2 3 1 Logic level drive H2PAK-2 High avalanche ruggedness 1

Другие IGBT... STFW69N65M5, STH110N10F7-2, STH110N10F7-6, STH12N120K5-2, STH130N10F3-2, STH140N8F7-2, STH150N10F7-2, STH15NB50FI, IRF520, STH170N8F7-2, STH175N4F6-2AG, STH175N4F6-6AG, STH180N10F3-6, STH185N10F3-2, STH185N10F3-6, STH240N10F7-2, STH240N10F7-6