STH185N10F3-2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STH185N10F3-2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 315 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 97.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 786 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: H2PAK-2

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STH185N10F3-2 datasheet

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STH185N10F3-2

STH185N10F3-2 Automotive-grade N-channel 100 V, 180 A, 3.9 m typ., STripFET F3 Power MOSFET in a H2PAK-2 package Datasheet - production data Features VDS RDS(on) max. ID Order code TAB STH185N10F3-2 100 V 4.5 m 180 A Designed for automotive applications and 2 AEC-Q101 qualified 3 1 Ultra low on-resistance H2PAK-2 100% avalanche tested Applications Swi

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STH185N10F3-2

STH185N10F3-6 Automotive-grade N-channel 100 V, 180 A, 3.9 m typ., STripFET F3 Power MOSFET in a H2PAK-6 package Datasheet - production data Features VDS RDS(on) max. ID Order code TAB STH185N10F3-6 100 V 4.5 m 180 A Designed for automotive applications and 7 AEC-Q101 qualified 1 Ultra low on-resistance H2PAK-6 100% avalanche tested Applications Switchi

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STH185N10F3-2

STH180N10F3-6 N-channel 100 V, 3.9 m , 180 A, H PAK-6 STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Order codes VDSS ID TAB max. STH180N10F3-6 100 V 4.5 m 180 A Ultra low on-resistance 7 100% avalanche tested 1 Applications H2PAK-6 High current switching applications Description This device is an N-channel enhancement mode Figure 1. Internal schematic diagra

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STH185N10F3-2

STH180N10F3-2 N-channel 100 V, 3.9 m typ.,180 A, STripFET F3 Power MOSFET in H PAK-2 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS ID max. STH180N10F3-2 100 V 4.5 m 180 A Ultra low on-resistence 100% avalanche tested Applications Switching applications Figure 1 Internal schematic diagram Description This device is an N-cha

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