STH185N10F3-2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH185N10F3-2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 97.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 786 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: H2PAK-2

Аналог (замена) для STH185N10F3-2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH185N10F3-2 даташит

 ..1. Size:986K  st
 sth185n10f3-2.pdf pdf_icon

STH185N10F3-2

STH185N10F3-2 Automotive-grade N-channel 100 V, 180 A, 3.9 m typ., STripFET F3 Power MOSFET in a H2PAK-2 package Datasheet - production data Features VDS RDS(on) max. ID Order code TAB STH185N10F3-2 100 V 4.5 m 180 A Designed for automotive applications and 2 AEC-Q101 qualified 3 1 Ultra low on-resistance H2PAK-2 100% avalanche tested Applications Swi

 2.1. Size:974K  st
 sth185n10f3-6.pdf pdf_icon

STH185N10F3-2

STH185N10F3-6 Automotive-grade N-channel 100 V, 180 A, 3.9 m typ., STripFET F3 Power MOSFET in a H2PAK-6 package Datasheet - production data Features VDS RDS(on) max. ID Order code TAB STH185N10F3-6 100 V 4.5 m 180 A Designed for automotive applications and 7 AEC-Q101 qualified 1 Ultra low on-resistance H2PAK-6 100% avalanche tested Applications Switchi

 9.1. Size:923K  st
 sth180n10f3-6.pdf pdf_icon

STH185N10F3-2

STH180N10F3-6 N-channel 100 V, 3.9 m , 180 A, H PAK-6 STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Order codes VDSS ID TAB max. STH180N10F3-6 100 V 4.5 m 180 A Ultra low on-resistance 7 100% avalanche tested 1 Applications H2PAK-6 High current switching applications Description This device is an N-channel enhancement mode Figure 1. Internal schematic diagra

 9.2. Size:645K  st
 sth180n10f3-2.pdf pdf_icon

STH185N10F3-2

STH180N10F3-2 N-channel 100 V, 3.9 m typ.,180 A, STripFET F3 Power MOSFET in H PAK-2 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS ID max. STH180N10F3-2 100 V 4.5 m 180 A Ultra low on-resistence 100% avalanche tested Applications Switching applications Figure 1 Internal schematic diagram Description This device is an N-cha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STH140N8F7-2, STH150N10F7-2, STH15NB50FI, STH160N4LF6-2, STH170N8F7-2, STH175N4F6-2AG, STH175N4F6-6AG, STH180N10F3-6, 8N60, STH185N10F3-6, STH240N10F7-2, STH240N10F7-6, STH240N75F3-2, STH240N75F3-6, STH245N75F3-6, STH260N6F6-6, STH265N6F6-2AG