STH185N10F3-2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STH185N10F3-2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 97.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 786 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: H2PAK-2
Аналог (замена) для STH185N10F3-2
STH185N10F3-2 Datasheet (PDF)
sth185n10f3-2.pdf
STH185N10F3-2Automotive-grade N-channel 100 V, 180 A, 3.9 m typ., STripFET F3 Power MOSFET in a H2PAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeTABSTH185N10F3-2 100 V 4.5 m 180 A Designed for automotive applications and 2AEC-Q101 qualified31 Ultra low on-resistanceH2PAK-2 100% avalanche testedApplications Swi
sth185n10f3-6.pdf
STH185N10F3-6Automotive-grade N-channel 100 V, 180 A, 3.9 m typ., STripFET F3 Power MOSFET in a H2PAK-6 packageDatasheet - production dataFeatures VDS RDS(on) max. IDOrder codeTABSTH185N10F3-6 100 V 4.5 m 180 A Designed for automotive applications and 7 AEC-Q101 qualified1 Ultra low on-resistanceH2PAK-6 100% avalanche testedApplications Switchi
sth180n10f3-6.pdf
STH180N10F3-6N-channel 100 V, 3.9 m, 180 A, HPAK-6STripFETIII Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order codes VDSS IDTABmax.STH180N10F3-6 100 V 4.5 m 180 A Ultra low on-resistance7 100% avalanche tested1ApplicationsH2PAK-6 High current switching applicationsDescriptionThis device is an N-channel enhancement mode Figure 1. Internal schematic diagra
sth180n10f3-2.pdf
STH180N10F3-2 N-channel 100 V, 3.9 m typ.,180 A, STripFET F3 Power MOSFET in HPAK-2 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS ID max. STH180N10F3-2 100 V 4.5 m 180 A Ultra low on-resistence 100% avalanche tested Applications Switching applications Figure 1: Internal schematic diagram Description This device is an N-cha
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918