STH240N75F3-2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STH240N75F3-2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: H2PAK-2

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STH240N75F3-2 datasheet

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STH240N75F3-2

STH240N75F3-2, STH240N75F3-6 N-channel 75 V, 2.6 m typ., 180 A STripFET III Power MOSFET in H PAK-2 and H PAK-6 packages Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDSS max. ID TAB STH240N75F3-2 75 V

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STH240N75F3-2

STH240N10F7-2, STH240N10F7-6 N-channel 100 V, 0.002 typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6 packages Datasheet - production data Features Order codes VDS RDS(on)max. ID STH240N10F7-2 TAB TAB 100 V 0.0025 180 A STH240N10F7-6 Ultra low on-resistance 2 7 3 100% avalanche tested 1 1 H2PAK-2 H2PAK-6 Applications High current switchin

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STH240N75F3-2

STH245N75F3-6 Automotive-grade N-channel 75 V, 2.6 m typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in a H PAK-6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID TAB STH245N75F3-6 75 V 3.0 m 180 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified 7 Conduction losses reduced 1 Low profile, very low parasitic inductance H2PAK-6 A

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