STH240N75F3-2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STH240N75F3-2
Маркировка: 240N75F3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 180 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 87 nC
Время нарастания (tr): 70 ns
Выходная емкость (Cd): 1100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.003 Ohm
Тип корпуса: H2PAK-2
Аналог (замена) для STH240N75F3-2
STH240N75F3-2 Datasheet (PDF)
sth240n75f3-2 sth240n75f3-6.pdf
STH240N75F3-2, STH240N75F3-6N-channel 75 V, 2.6 m typ., 180 A STripFET III Power MOSFET in HPAK-2 and HPAK-6 packagesDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS max. ID TABSTH240N75F3-275 V
sth240n10f7-2 sth240n10f7-6.pdf
STH240N10F7-2, STH240N10F7-6N-channel 100 V, 0.002 typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6 packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on)max. IDSTH240N10F7-2TABTAB 100 V 0.0025 180 ASTH240N10F7-6 Ultra low on-resistance273 100% avalanche tested11H2PAK-2H2PAK-6Applications High current switchin
sth245n75f3-6.pdf
STH245N75F3-6Automotive-grade N-channel 75 V, 2.6 m typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in a HPAK-6 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max. IDTABSTH245N75F3-6 75 V 3.0 m 180 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified7 Conduction losses reduced1 Low profile, very low parasitic inductanceH2PAK-6A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
