STH310N10F7-2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STH310N10F7-2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 315 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 108 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm

Encapsulados: H2PAK-2

 Búsqueda de reemplazo de STH310N10F7-2 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STH310N10F7-2 datasheet

 ..1. Size:683K  st
 sth310n10f7-2 sth310n10f7-6.pdf pdf_icon

STH310N10F7-2

STH310N10F7-2, STH310N10F7-6 N-channel 100 V, 1.9 m typ.,180 A, STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6 packages Datasheet - production data TAB Features TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STH310N10F7-2 7 100 V 2.3 m 180 A 2 STH310N10F7-6 3 1 1 H2PAK-6 H2PAK-2 Among the lowest RDS(on) on the market Figure 1 Internal schematic diagram

 9.1. Size:1140K  st
 sth315n10f7-2 sth315n10f7-6.pdf pdf_icon

STH310N10F7-2

STH315N10F7-2, STH315N10F7-6 Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFETs Datasheet - production data Features VDS RDS(on) max. ID Order codes TAB TAB STH315N10F7-2 100 V 2.3 m 180 A STH315N10F7-6 2 7 3 Designed for automotive applications and 1 1 AEC-Q101 qualified 2 2 H PAK-6 H PAK-2 Among the lowest RDS(on) on the marke

Otros transistores... STH260N6F6-6, STH265N6F6-2AG, STH265N6F6-6AG, STH270N4F3-2, STH270N8F7-2, STH270N8F7-6, STH275N8F7-2AG, STH275N8F7-6AG, K2611, STH310N10F7-6, STH315N10F7-2, STH315N10F7-6, STH320N4F6-2, STH320N4F6-6, STH360N4F6-2, STH3N150-2, STH400N4F6-2