STH310N10F7-2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STH310N10F7-2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 315 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 180 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 108 ns
Выходная емкость (Cd): 3500 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0023 Ohm
Тип корпуса: H2PAK-2
Аналог (замена) для STH310N10F7-2
STH310N10F7-2 Datasheet (PDF)
sth310n10f7-2 sth310n10f7-6.pdf
STH310N10F7-2, STH310N10F7-6 N-channel 100 V, 1.9 m typ.,180 A, STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6 packages Datasheet - production data TAB Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTH310N10F7-2 7100 V 2.3 m 180 A 2STH310N10F7-6 311H2PAK-6H2PAK-2 Among the lowest RDS(on) on the market Figure 1: Internal schematic diagram
sth315n10f7-2 sth315n10f7-6.pdf
STH315N10F7-2, STH315N10F7-6Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFETsDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codesTAB TABSTH315N10F7-2100 V 2.3 m 180 ASTH315N10F7-6273 Designed for automotive applications and 11AEC-Q101 qualified2 2H PAK-6H PAK-2 Among the lowest RDS(on) on the marke
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IPB017N08N5
