STH315N10F7-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STH315N10F7-2
Código: 315N10F7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 315 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 180 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 180 nC
Tiempo de subida (tr): 108 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 3500 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0023 Ohm
Paquete / Cubierta: H2PAK-2
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STH315N10F7-2
STH315N10F7-2 Datasheet (PDF)
sth315n10f7-2 sth315n10f7-6.pdf
STH315N10F7-2, STH315N10F7-6Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFETsDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codesTAB TABSTH315N10F7-2100 V 2.3 m 180 ASTH315N10F7-6273 Designed for automotive applications and 11AEC-Q101 qualified2 2H PAK-6H PAK-2 Among the lowest RDS(on) on the marke
sth310n10f7-2 sth310n10f7-6.pdf
STH310N10F7-2, STH310N10F7-6 N-channel 100 V, 1.9 m typ.,180 A, STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6 packages Datasheet - production data TAB Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTH310N10F7-2 7100 V 2.3 m 180 A 2STH310N10F7-6 311H2PAK-6H2PAK-2 Among the lowest RDS(on) on the market Figure 1: Internal schematic diagram
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
