Справочник MOSFET. STH315N10F7-2

 

STH315N10F7-2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH315N10F7-2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 108 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-2
 

 Аналог (замена) для STH315N10F7-2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH315N10F7-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1140K  st
 sth315n10f7-2 sth315n10f7-6.pdf pdf_icon

STH315N10F7-2

STH315N10F7-2, STH315N10F7-6Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFETsDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codesTAB TABSTH315N10F7-2100 V 2.3 m 180 ASTH315N10F7-6273 Designed for automotive applications and 11AEC-Q101 qualified2 2H PAK-6H PAK-2 Among the lowest RDS(on) on the marke

 9.1. Size:683K  st
 sth310n10f7-2 sth310n10f7-6.pdf pdf_icon

STH315N10F7-2

STH310N10F7-2, STH310N10F7-6 N-channel 100 V, 1.9 m typ.,180 A, STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6 packages Datasheet - production data TAB Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTH310N10F7-2 7100 V 2.3 m 180 A 2STH310N10F7-6 311H2PAK-6H2PAK-2 Among the lowest RDS(on) on the market Figure 1: Internal schematic diagram

Другие MOSFET... STH265N6F6-6AG , STH270N4F3-2 , STH270N8F7-2 , STH270N8F7-6 , STH275N8F7-2AG , STH275N8F7-6AG , STH310N10F7-2 , STH310N10F7-6 , MMD60R360PRH , STH315N10F7-6 , STH320N4F6-2 , STH320N4F6-6 , STH360N4F6-2 , STH3N150-2 , STH400N4F6-2 , STH400N4F6-6 , STH7NA90FI .

History: RUH1H150S-AR | FDB86363-F085 | ST3401SRG | SSP60R070S2E | FDI9406F085 | IXFB110N60P3 | IRFAF30

 

 
Back to Top

 


 
.