STH320N4F6-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STH320N4F6-2
   Código: 320N4F6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 200 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 240 nC
   Tiempo de subida (tr): 98 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1870 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0013 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-2

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STH320N4F6-2 Datasheet (PDF)

..1. Size:1066K st
sth320n4f6-2 sth320n4f6-6.pdf

STH320N4F6-2, STH320N4F6-6N-channel 40 V, 1.1 m typ., 200 A, HPAK-2, HPAK-6 STripFET VI DeepGATE Power MOSFETDatasheet production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on) max ID(1)TABSTH320N4F6-2TAB40 V 1.3 m 200 ASTH320N4F6-61. Current limited by package.723 Standard threshold drive 11 100% avalanche testedH2PAK-6H2PAK-2Applications

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