STH320N4F6-2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STH320N4F6-2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1870 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0013 Ohm

Encapsulados: H2PAK-2

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STH320N4F6-2 datasheet

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STH320N4F6-2

STH320N4F6-2, STH320N4F6-6 N-channel 40 V, 1.1 m typ., 200 A, H PAK-2, H PAK-6 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Datasheet production data Features Order codes VDS RDS(on) max ID(1) TAB STH320N4F6-2 TAB 40 V 1.3 m 200 A STH320N4F6-6 1. Current limited by package. 7 2 3 Standard threshold drive 1 1 100% avalanche tested H2PAK-6 H2PAK-2 Applications

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