Справочник MOSFET. STH320N4F6-2

 

STH320N4F6-2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH320N4F6-2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1870 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0013 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-2
 

 Аналог (замена) для STH320N4F6-2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH320N4F6-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1066K  st
 sth320n4f6-2 sth320n4f6-6.pdf pdf_icon

STH320N4F6-2

STH320N4F6-2, STH320N4F6-6N-channel 40 V, 1.1 m typ., 200 A, HPAK-2, HPAK-6 STripFET VI DeepGATE Power MOSFETDatasheet production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on) max ID(1)TABSTH320N4F6-2TAB40 V 1.3 m 200 ASTH320N4F6-61. Current limited by package.723 Standard threshold drive 11 100% avalanche testedH2PAK-6H2PAK-2Applications

Другие MOSFET... STH270N8F7-2 , STH270N8F7-6 , STH275N8F7-2AG , STH275N8F7-6AG , STH310N10F7-2 , STH310N10F7-6 , STH315N10F7-2 , STH315N10F7-6 , HY1906P , STH320N4F6-6 , STH360N4F6-2 , STH3N150-2 , STH400N4F6-2 , STH400N4F6-6 , STH7NA90FI , STH80N10F7-2 , STH8NA80FI .

History: 1H05 | STH12N120K5-2 | SRT10N090L

 

 
Back to Top

 


 
.