STH320N4F6-6 Todos los transistores

 

STH320N4F6-6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH320N4F6-6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1870 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0013 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-6
 

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STH320N4F6-6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1066K  st
 sth320n4f6-2 sth320n4f6-6.pdf pdf_icon

STH320N4F6-6

STH320N4F6-2, STH320N4F6-6N-channel 40 V, 1.1 m typ., 200 A, HPAK-2, HPAK-6 STripFET VI DeepGATE Power MOSFETDatasheet production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on) max ID(1)TABSTH320N4F6-2TAB40 V 1.3 m 200 ASTH320N4F6-61. Current limited by package.723 Standard threshold drive 11 100% avalanche testedH2PAK-6H2PAK-2Applications

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History: IRF7304Q

 

 
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