Справочник MOSFET. STH320N4F6-6

 

STH320N4F6-6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH320N4F6-6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 98 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1870 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0013 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STH320N4F6-6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1066K  st
 sth320n4f6-2 sth320n4f6-6.pdf pdf_icon

STH320N4F6-6

STH320N4F6-2, STH320N4F6-6N-channel 40 V, 1.1 m typ., 200 A, HPAK-2, HPAK-6 STripFET VI DeepGATE Power MOSFETDatasheet production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on) max ID(1)TABSTH320N4F6-2TAB40 V 1.3 m 200 ASTH320N4F6-61. Current limited by package.723 Standard threshold drive 11 100% avalanche testedH2PAK-6H2PAK-2Applications

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF7353D2 | STS6604L | IPN70R1K4P7S | CEB18N5 | 24NM60G-T3B-T | AP3801GM-HF | AP9576GH

 

 
Back to Top

 


 
.