STH320N4F6-6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH320N4F6-6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1870 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0013 Ohm

Тип корпуса: H2PAK-6

Аналог (замена) для STH320N4F6-6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH320N4F6-6 даташит

 ..1. Size:1066K  st
 sth320n4f6-2 sth320n4f6-6.pdf pdf_icon

STH320N4F6-6

STH320N4F6-2, STH320N4F6-6 N-channel 40 V, 1.1 m typ., 200 A, H PAK-2, H PAK-6 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Datasheet production data Features Order codes VDS RDS(on) max ID(1) TAB STH320N4F6-2 TAB 40 V 1.3 m 200 A STH320N4F6-6 1. Current limited by package. 7 2 3 Standard threshold drive 1 1 100% avalanche tested H2PAK-6 H2PAK-2 Applications

Другие IGBT... STH270N8F7-6, STH275N8F7-2AG, STH275N8F7-6AG, STH310N10F7-2, STH310N10F7-6, STH315N10F7-2, STH315N10F7-6, STH320N4F6-2, AO4407A, STH360N4F6-2, STH3N150-2, STH400N4F6-2, STH400N4F6-6, STH7NA90FI, STH80N10F7-2, STH8NA80FI, IRHG567110