STH3N150-2 Todos los transistores

 

STH3N150-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH3N150-2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-2
 

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STH3N150-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:672K  st
 stfw3n150 sth3n150-2 stp3n150 stw3n150.pdf pdf_icon

STH3N150-2

STFW3N150, STH3N150-2 STP3N150, STW3N150DatasheetN-channel 1500 V, 2.5 A, 6 typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packagesFeaturesTABVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codes23 1 3STFW3N150 63 W22H PAK-21STH3N150-2TO-3PF1500 V 9 2.5 ASTP3N150 140 WTABSTW3N15033 100% avalanche tested2 2 1 1 TO-220

 ..2. Size:1056K  st
 sth3n150-2.pdf pdf_icon

STH3N150-2

STFW3N150, STH3N150-2, STP3N150, STW3N150N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packagesDatasheet - production dataFeatures TABOrder codes VDS RDS(on) max. ID PTOT1112313STFW3N150 63 W 2 2H PAK-21STH3N150-21500 V 9 2.5 ATO-3PFSTP3N150 140 WTABSTW3N150 100% avalanche tested33

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History: AP9476GM-HF | MSS34N40

 

 
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